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Amplificador de potência de alta eficiência 50Ω-match GaN 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz

Name: Amplificador de potência de alta eficiência 50Ω-match GaN 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM40801860M
Price: 329 USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: Jiangsu, China

Marca: SZHUASHI

Número do modelo: YPM40801860M

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Quantidade de ordem mínima: 1 peça

Preço: 329USD each

Detalhes da embalagem: Caixa

Tempo de entrega: 2 a 7 dias úteis

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Descrição do produto

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                                                                                                                                                                                                                                                Amplificador de potência GaN de correspondência de 50Ω, Amplificador de potência de sinal de 28 V a 60 W, Amplificador de potência de transistor de 4000-8000 MHz
                              

Nome do produto:	Amplificador de RF	Poder:	60W
Faixa de frequência:	4000-8000 MHz	Fonte de energia:	28 V
Temperatura de armazenamento:	-65°C a +150°C	Recurso:	Alta eficiência

Nome do produto:	Amplificador de RF
Poder:	60W
Faixa de frequência:	4000-8000 MHz
Fonte de energia:	28 V
Temperatura de armazenamento:	-65°C a +150°C
Recurso:	Alta eficiência

Amplificador de potência de alta eficiência 50Ω-match GaN 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz

Amplificador de potência GaN 28V 60W de alta eficiência 50Ω-match para transistor 4000-8000MHz

Visão geral do produto

YPM40801860M é um transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de nitreto de gálio (GaN) compatível com 60 watts e 50 Ω projetado especificamente com alta eficiência, alto ganho e recursos de ampla largura de banda. Isso torna o YPM40801860M ideal para múltiplas aplicações com frequência de 4.000 MHz a 8.000 MHz.

Operação de alta eficiência e ganho linear
Tensão de porta negativa e sequência de polarização necessária
Excelente estabilidade térmica e excelente robustez
Embalagem à base de metal selada com tampa cerâmica-epóxi
Sistema de metalização de ouro: Chip-Wire Bond-Package

Especificações Técnicas

Parâmetro	Especificação
Faixa de frequência	4000-8000 MHz
Potência média de saída	60W
Tensão operacional	28V CC
Temperatura de armazenamento	-65°C a +150°C

Imagens do produto

Informações do fabricante

Localizados no Parque Industrial de Suzhou e fundados em 2010, somos os fabricantes oficiais destes produtos. Somos especializados na fabricação e venda de nossas próprias linhas de produtos, incluindo amplificadores WiFi, VCOs, fontes de sinal de varredura, grupos de placas sem fio e outros componentes de RF a preços competitivos.

Nossa equipe de profissionais domina as principais tecnologias na área de produtos de RF e detém vários direitos de propriedade intelectual independentes. Nossos produtos foram distribuídos para diversas cidades nacionais e são populares entre clientes internacionais em países como Rússia, Estados Unidos, Coreia do Sul, Vietnã e Suécia.

Tags:

Amplificador de sinal rf,

Módulo de interferência de sinal

PCB de bloqueador de sinal

Amplificador de potência de sinal

Impulsionador do sinal

Oscilador controlado por tensão

Bloqueio de ganho

Diodo variador

Amplificador de potência de alta eficiência 50Ω-match GaN 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz

Amplificador de potência GaN de correspondência de 50Ω

Amplificador de potência de sinal de 28 V a 60 W

Amplificador de potência de transistor de 4000-8000 MHz

Amplificador de sinal rf,

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