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Amplificatore di potenza GaN ad alta efficienza 50Ω-match 28V 60W per transistor 4000-8000MHz

Name: Amplificatore di potenza GaN ad alta efficienza 50Ω-match 28V 60W per transistor 4000-8000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM40801860M
Price: 329 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Jiangsu, Cina

Marca: SZHUASHI

Numero di modello: YPM40801860M

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 1 pezzo

Prezzo: 329USD each

Imballaggi particolari: Cartone

Tempi di consegna: 2-7 giorni lavorativi

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 1000 pezzi/mese

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Dettagli del prodotto

Descrizione del prodotto

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                                                                                                                                                                                                                                                Amplificatore di potenza GaN 50Ω-match, Amplificatore di segnale 28V 60W, Amplificatore di potenza per transistor 4000-8000MHz
                              

Nome del prodotto:	Amplificatore RF	Energia:	60 W
Gamma di frequenza:	4000-8000 MHz	Alimentazione elettrica:	28 V
Temperatura di conservazione:	-65°C a +150°C	Caratteristica:	Alta efficienza

Nome del prodotto:	Amplificatore RF
Energia:	60 W
Gamma di frequenza:	4000-8000 MHz
Alimentazione elettrica:	28 V
Temperatura di conservazione:	-65°C a +150°C
Caratteristica:	Alta efficienza

Amplificatore di potenza GaN ad alta efficienza 50Ω-match 28V 60W per transistor 4000-8000MHz

Amplificatore di potenza ad alta efficienza 50Ω-match GaN 28V 60W per transistor 4000-8000MHz

Visualizzazione del prodotto

YPM40801860M è un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) a 60 watt e 50 Ω di nitruro di gallio (GaN) progettato appositamente con elevata efficienza, elevato guadagno e ampie capacità di larghezza di banda.Questo rende l'YPM40801860M ideale per molteplici applicazioni con frequenza da 4000MHz a 8000MHz.

Operazione ad alta efficienza e con guadagno lineare
Requisito di sequenziamento della tensione negativa della porta e del bias
Eccellente stabilità termica ed eccellente robustezza
Imballaggio a base di metallo sigillato con coperchio in epossidica ceramica
Sistema di metallizzazione dell'oro: pacchetto di legame a filo di chip

Specifiche tecniche

Parametro	Specificità
Intervallo di frequenza	4000-8000 MHz
Potenza media di uscita	60 W
Tensione di funzionamento	28V di corrente continua
Temperatura di conservazione	-65°C a +150°C

Immagini del prodotto

Informazioni relative al fabbricante

Situato nel Parco Industriale di Suzhou e fondato nel 2010, siamo il produttore ufficiale di questi prodotti.VCO, fonti di segnale di scansione, gruppi di schede wireless e altri componenti RF a prezzi competitivi.

Il nostro team di professionisti ha padroneggiato le tecnologie di base nel campo dei prodotti RF e detiene diversi diritti di proprietà intellettuale indipendenti.I nostri prodotti sono stati distribuiti in numerose città nazionali e sono popolari tra i clienti internazionali in paesi tra cui la Russia, Stati Uniti, Corea del Sud, Vietnam e Svezia.

Tags:

amplificatore del segnale rf,

Modulo di interferenza del segnale

PCB interferente del segnale

Amplificatore di potenza del segnale

Ripetitore del segnale

Oscillatore a tensione controllata

Blocco di guadagno

Diodo variatore

Amplificatore di potenza GaN ad alta efficienza 50Ω-match 28V 60W per transistor 4000-8000MHz

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