logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produkty
Produkty
Do domu > Produkty > Wzmacniacz mocy sygnału > Wysokiej wydajności wzmacniacz mocy GaN 28V 60W z dopasowaniem 50Ω dla tranzystora 4000-8000MHz

Wysokiej wydajności wzmacniacz mocy GaN 28V 60W z dopasowaniem 50Ω dla tranzystora 4000-8000MHz

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: Jiangsu, Chiny

Nazwa handlowa: SZHUASHI

Numer modelu: YPM40801860M

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1 sztuka

Cena: 329USD each

Szczegóły pakowania: Karton

Czas dostawy: 2-7 dni roboczych

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 1000 sztuk/miesiąc

Najlepszą cenę
Podkreślić:

wzmacniacz mocy GaN 50Ω-match

,

Zwiększacz mocy sygnału 28V 60W

,

Zwiększacz mocy tranzystorowego o częstotliwości 4000-8000 MHz

Nazwa produktu:
Wzmacniacz RF
Moc:
60 W
Zakres częstotliwości:
4000-8000 MHz
Zasilanie:
28 V
Temperatura przechowywania:
-65°C do +150°C
Funkcja:
Wysoka wydajność
Nazwa produktu:
Wzmacniacz RF
Moc:
60 W
Zakres częstotliwości:
4000-8000 MHz
Zasilanie:
28 V
Temperatura przechowywania:
-65°C do +150°C
Funkcja:
Wysoka wydajność
Wysokiej wydajności wzmacniacz mocy GaN 28V 60W z dopasowaniem 50Ω dla tranzystora 4000-8000MHz
Wysokiej wydajności wzmacniacz mocy GaN 28V 60W z dopasowaniem 50Ω dla tranzystora 4000-8000MHz
Przegląd produktu

YPM40801860M to 60-wattowy, 50 Ω dopasowany do azotanu galiu (GaN) tranzystor o wysokiej mobilności elektronów (HEMT) zaprojektowany specjalnie z wysoką wydajnością, wysokim zyskiem i możliwościami szerokiej przepustowości.Dzięki temu YPM40801860M jest idealny do wielu zastosowań z częstotliwością od 4000MHz do 8000MHz.

  • Wyższa wydajność i operacja zysku liniowego
  • Wymagane jest sekwencjonowanie napięcia bramy ujemnej i stronniczości
  • Doskonała stabilność termiczna i doskonała wytrzymałość
  • Opakowanie na bazie metalu zamknięte ceramiczną pokrywą epoksydową
  • System metalizacji złota: pakiet obligacji z drutem szczytowym
Specyfikacje techniczne
Parametry Specyfikacja
Zakres częstotliwości 4000-8000MHz
Średnia moc wyjściowa 60 W
Napięcie robocze 28 V prądu stałego
Temperatura przechowywania -65°C do +150°C
Obrazy produktów
YPM60800860M 60W GaN Power Amplifier Technical diagram of YPM60800860M Power Amplifier
Informacje dotyczące producenta

Zlokalizowany w Suzhou Industrial Park i założony w 2010 roku, jesteśmy oficjalnym producentem tych produktów.VCO, źródeł sygnału sweep, grup kart bezprzewodowych i innych komponentów RF po konkurencyjnych cenach.

Nasz zespół specjalistów opanował podstawowe technologie w dziedzinie produktów RF i posiada wiele niezależnych praw własności intelektualnej.Nasze produkty są dystrybuowane w wielu miastach krajowych i są popularne wśród międzynarodowych klientów w krajach, w tym Rosji, USA, Korei Południowej, Wietnamu i Szwecji.