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Amplificateur de puissance à haute efficacité 50Ω-match GaN 28V 60W pour transistor 4000-8000MHz

Name: Amplificateur de puissance à haute efficacité 50Ω-match GaN 28V 60W pour transistor 4000-8000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM40801860M
Price: 329 USD
Availability: InStock

Détails du produit

Lieu d'origine: Jiangsu, Chine

Nom de marque: SZHUASHI

Numéro de modèle: YPM40801860M

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Quantité de commande min: 1 pièce

Prix: 329USD each

Détails d'emballage: Carton

Délai de livraison: 2-7 jours ouvrables

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces/mois

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Détails du produit

Description du produit

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                                                                                                                                                                                                                                                Amplificateur de puissance GaN à 50Ω de correspondance, Amplificateur de puissance du signal de 28 V à 60 W, Amplificateur de puissance par transistor de 4000 à 8000 MHz
                              

Nom du produit:	Amplificateur RF	Pouvoir:	60W
Gamme de fréquences:	4 000 à 8 000 MHz	Alimentation:	28V
Température de stockage:	-65°C à +150°C	Caractéristique:	Haute efficacité

Nom du produit:	Amplificateur RF
Pouvoir:	60W
Gamme de fréquences:	4 000 à 8 000 MHz
Alimentation:	28V
Température de stockage:	-65°C à +150°C
Caractéristique:	Haute efficacité

Amplificateur de puissance à haute efficacité 50Ω-match GaN 28V 60W pour transistor 4000-8000MHz

Amplificateur de puissance GaN 28V 60W à haute efficacité 50Ω pour transistor 4000-8000MHz

Présentation du produit

Le YPM40801860M est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) de 60 watts, adapté à 50 Ω, conçu spécifiquement pour ses capacités de haute efficacité, de gain élevé et de large bande passante. Cela rend le YPM40801860M idéal pour de multiples applications avec des fréquences allant de 4000 MHz à 8000 MHz.

Fonctionnement à haute efficacité et gain linéaire
Tension de grille négative et séquençage de polarisation requis
Excellente stabilité thermique et excellente robustesse
Boîtier à base métallique scellé avec couvercle céramique-époxy
Système de métallisation or : puce-fil de liaison-boîtier

Spécifications techniques

Paramètre	Spécification
Gamme de fréquences	4000-8000MHz
Puissance de sortie moyenne	60W
Tension de fonctionnement	28V CC
Température de stockage	-65°C à +150°C

Images du produit

Informations sur le fabricant

Situé dans le parc industriel de Suzhou et fondé en 2010, nous sommes le fabricant officiel de ces produits. Nous sommes spécialisés dans la fabrication et la vente de nos propres gammes de produits, y compris des amplificateurs WiFi, des VCO, des sources de signal à balayage, des groupes de cartes sans fil et d'autres composants RF à des prix compétitifs.

Notre équipe de professionnels maîtrise les technologies de base dans le domaine des produits RF et détient de multiples droits de propriété intellectuelle indépendants. Nos produits ont été distribués dans de nombreuses villes nationales et sont populaires auprès des clients internationaux dans des pays tels que la Russie, les États-Unis, la Corée du Sud, le Vietnam et la Suède.

Tags:

amplificateur de signal RF,

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Diode à facteur

Amplificateur de puissance à haute efficacité 50Ω-match GaN 28V 60W pour transistor 4000-8000MHz

Amplificateur de puissance GaN à 50Ω de correspondance

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