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Amplificador de potencia GaN de alta eficiencia 50Ω-match 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz

Name: Amplificador de potencia GaN de alta eficiencia 50Ω-match 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM40801860M
Price: 329 USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: Jiangsu, China

Nombre de la marca: SZHUASHI

Número de modelo: YPM40801860M

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 pieza

Precio: 329USD each

Detalles de empaquetado: Caja de cartón

Tiempo de entrega: 2-7 días laborables

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000 unidades/mes

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Detalles del producto

Descripción del producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                Amplificador de potencia GaN con adaptación 50Ω, Amplificador de potencia de señal de 28V 60W, Amplificador de potencia de transistor de 4000-8000MHz
                              

Nombre del producto:	amplificador de radiofrecuencia	Fuerza:	60W
Rango de frecuencia:	4 000-8 000 MHz	Fuente de alimentación:	28V
Temperatura de almacenamiento:	-65°C a +150°C	Característica:	Alta eficiencia

Nombre del producto:	amplificador de radiofrecuencia
Fuerza:	60W
Rango de frecuencia:	4 000-8 000 MHz
Fuente de alimentación:	28V
Temperatura de almacenamiento:	-65°C a +150°C
Característica:	Alta eficiencia

Amplificador de potencia GaN de alta eficiencia 50Ω-match 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz

Amplificador de potencia de alta eficiencia de 50Ω-match GaN 28V 60W para transistores de 4000-8000MHz

Resumen del producto

YPM40801860M es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de 60 watts y 50 Ω de nitruro de galio (GaN) diseñado específicamente con alta eficiencia, alta ganancia y amplias capacidades de ancho de banda.Esto hace que el YPM40801860M sea ideal para múltiples aplicaciones con frecuencia de 4000MHz a 8000MHz.

Operación de alta eficiencia y ganancia lineal
Se requiere una secuenciación de voltaje de puerta negativa y de sesgo
Excelente estabilidad térmica y excelente robustez
Embalaje a base de metal sellado con tapa de cerámica epoxi
Sistema de metalización de oro: paquete de bonos de alambre de viruta

Especificaciones técnicas

Parámetro	Especificación
Rango de frecuencia	4 000-8 000 MHz
Potencia de salida media	60 W
Voltado de funcionamiento	28 V de corriente continua
Temperatura de almacenamiento	-65°C a +150°C

Imágenes del producto

Información del fabricante

Ubicado en el Parque Industrial de Suzhou y fundado en 2010, somos el fabricante oficial de estos productos.Las VCO, fuentes de señal de barrido, grupos de tarjetas inalámbricas y otros componentes de RF a precios competitivos.

Nuestro equipo de profesionales ha dominado las tecnologías básicas en el campo de los productos RF y posee múltiples derechos de propiedad intelectual independientes.Nuestros productos se han distribuido en numerosas ciudades nacionales y son populares entre los clientes internacionales en países como Rusia, Estados Unidos, Corea del Sur, Vietnam y Suecia.

Tags:

amplificador de señal de RF,

Módulo de interferencia de señal

PCB de bloqueador de señal

Amplificador de potencia de señal

Aumentador de presión de la señal

Los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatu

Bloqueo de ganancia

Diodo variador

Amplificador de potencia GaN de alta eficiencia 50Ω-match 28V 60W para transistor de 4000-8000MHz

Amplificador de potencia GaN con adaptación 50Ω

Amplificador de potencia de señal de 28V 60W

Amplificador de potencia de transistor de 4000-8000MHz

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