logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Các sản phẩm
Các sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm > Bộ khuếch đại công suất tín hiệu > Bộ khuếch đại công suất GaN 28V 60W hiệu suất cao 50Ω cho transistor 4000-8000MHz

Bộ khuếch đại công suất GaN 28V 60W hiệu suất cao 50Ω cho transistor 4000-8000MHz

Chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: Giang Tô, Trung Quốc

Hàng hiệu: SZHUASHI

Số mô hình: YPM40801860M

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1 mảnh

Giá bán: 329USD each

chi tiết đóng gói: thùng carton

Thời gian giao hàng: 2-7 ngày làm việc

Điều khoản thanh toán: T/T

Khả năng cung cấp: 1000 chiếc / tháng

Nhận được giá tốt nhất
Làm nổi bật:

Bộ khuếch đại công suất GaN 50Ω

,

Bộ khuếch đại công suất tín hiệu 28V 60W

,

Bộ khuếch đại công suất transistor 4000-8000MHz

Tên sản phẩm:
Bộ khuếch đại RF
Quyền lực:
60W
Dải tần số:
4000-8000MHz
Nguồn điện:
28V
Nhiệt độ bảo quản:
-65°C đến +150°C
Tính năng:
Hiệu quả cao
Tên sản phẩm:
Bộ khuếch đại RF
Quyền lực:
60W
Dải tần số:
4000-8000MHz
Nguồn điện:
28V
Nhiệt độ bảo quản:
-65°C đến +150°C
Tính năng:
Hiệu quả cao
Bộ khuếch đại công suất GaN 28V 60W hiệu suất cao 50Ω cho transistor 4000-8000MHz
Tăng cường năng lượng hiệu quả cao 50Ω-match GaN 28V 60W cho Transistor 4000-8000MHz
Tổng quan sản phẩm

YPM40801860M là một transistor di động điện tử cao (HEMT) 60 watt, 50 Ω phù hợp với gallium nitride (GaN) được thiết kế đặc biệt với hiệu suất cao, lợi nhuận cao và khả năng băng thông rộng.Điều này làm cho YPM40801860M lý tưởng cho nhiều ứng dụng với tần số từ 4000MHz đến 8000MHz.

  • Hoạt động hiệu quả cao và thu nhập tuyến tính
  • Cần chuỗi điện áp cổng âm và Bias
  • Sự ổn định nhiệt tuyệt vời và độ dẻo dai tuyệt vời
  • Bao bì dựa trên kim loại được niêm phong bằng nắp epoksi gốm
  • Hệ thống kim loại hóa vàng: gói trái phiếu chip-wire
Thông số kỹ thuật
Parameter Thông số kỹ thuật
Phạm vi tần số 4000-8000MHz
Công suất đầu ra trung bình 60W
Điện áp hoạt động 28V DC
Nhiệt độ lưu trữ -65°C đến +150°C
Hình ảnh sản phẩm
YPM60800860M 60W GaN Power Amplifier Technical diagram of YPM60800860M Power Amplifier
Thông tin về nhà sản xuất

Nằm ở Khu công nghiệp Suzhou và được thành lập vào năm 2010, chúng tôi là nhà sản xuất chính thức của các sản phẩm này.VCO, các nguồn tín hiệu quét, các nhóm thẻ không dây và các thành phần RF khác với giá cả cạnh tranh.

Nhóm chuyên gia của chúng tôi đã nắm vững các công nghệ cốt lõi trong lĩnh vực sản phẩm RF và nắm giữ nhiều quyền sở hữu trí tuệ độc lập.Sản phẩm của chúng tôi đã được phân phối đến nhiều thành phố trong nước và được khách hàng quốc tế yêu thích ở các quốc gia bao gồm Nga, Hoa Kỳ, Hàn Quốc, Việt Nam và Thụy Điển.

Sản phẩm tương tự