Продукты

Домой > Продукты > Усилитель мощности сигнала > Высокоэффективный согласующий по импедансу 50 Ом GaN 28В 60Вт усилитель мощности для транзистора 4000-8000МГц

Категории

Осиллятор с регулируемым напряжением

(78)

Варекторный диод

(4)

Контакты

Контакты: Ms. Zhou

Телефон: 86-512-67066119

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Высокоэффективный согласующий по импедансу 50 Ом GaN 28В 60Вт усилитель мощности для транзистора 4000-8000МГц

Name: Высокоэффективный согласующий по импедансу 50 Ом GaN 28В 60Вт усилитель мощности для транзистора 4000-8000МГц
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: ЯПМ40801860М
Price: 329 USD
Availability: InStock

Подробная информация о продукции

Место происхождения: Цзянсу, Китай

Фирменное наименование: SZHUASHI

Номер модели: ЯПМ40801860М

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 1 шт.

Цена: 329USD each

Упаковывая детали: Картонная коробка

Время доставки: 2-7 рабочих дней

Условия оплаты: Т/Т

Поставка способности: 1000 шт/месяц

Получите самую лучшую цену

Подробная информация о продукции

Описание продукта

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                Согласующий по импедансу 50 Ом GaN усилитель мощности, Усилитель мощности сигнала 28В 60Вт, Транзисторный усилитель мощности 4000-8000МГц
                              

Название продукта:	РЧ-усилитель	Власть:	60 Вт
Частотный диапазон:	4000-8000 МГц	Источник питания:	28В
Температура хранения:	-65°C к +150°C	Особенность:	Высокая эффективность

Название продукта:	РЧ-усилитель
Власть:	60 Вт
Частотный диапазон:	4000-8000 МГц
Источник питания:	28В
Температура хранения:	-65°C к +150°C
Особенность:	Высокая эффективность

Высокоэффективный согласующий по импедансу 50 Ом GaN 28В 60Вт усилитель мощности для транзистора 4000-8000МГц

Высокоэффективный усилитель мощности GaN 28V 60W для транзистора 4000-8000MHz

Обзор продукции

YPM40801860M представляет собой 60-ваттный 50 Ом галлиевого нитрида (GaN) высокоэлектронный мобильный транзистор (HEMT), специально разработанный с высокой эффективностью, высокой отдачей и широкой пропускной способностью.Это делает YPM40801860M идеальным для нескольких приложений с частотой от 4000MHz до 8000MHz.

Операция с высокой эффективностью и линейным увеличением
Необходимое отрицательное напряжение врат и последовательность предвзятости
Отличная теплостойкость и отличная прочность
Пакет на основе металла, запечатанный керамической эпоксидной крышкой
Система металлизации золота: Облигационный пакет с микроскопическими проводами

Технические спецификации

Параметр	Спецификация
Диапазон частот	4000-8000 МГц
Средняя выходная мощность	60 Вт
Рабочее напряжение	28 В постоянного тока
Температура хранения	-65°C до +150°C

Изображения продукции

Информация о производителе

Находимся в индустриальном парке Сучжоу и основан в 2010 году, мы являемся официальным производителем этой продукции.ВКО, источники сигнала, группы беспроводных карт и другие радиочастотные компоненты по конкурентоспособным ценам.

Наша команда специалистов владеет основными технологиями в области радиочастотных продуктов и имеет множество независимых прав на интеллектуальную собственность.Наша продукция распространяется в многочисленные отечественные города и пользуется популярностью у международных клиентов в странах, включая Россию, США, Южной Кореи, Вьетнама и Швеции.

Tags:

Усилитель сигнала RF,

Модуль сжатия сигнала

ПКБ с блокировкой сигнала

Усилитель мощности сигнала

Ракета -носитель сигнала

Осиллятор с регулируемым напряжением

Блокировка прибыли

Варекторный диод

Высокоэффективный согласующий по импедансу 50 Ом GaN 28В 60Вт усилитель мощности для транзистора 4000-8000МГц

Согласующий по импедансу 50 Ом GaN усилитель мощности

Усилитель мощности сигнала 28В 60Вт

Транзисторный усилитель мощности 4000-8000МГц

Усилитель сигнала RF,

высокомощный Wi-Fi-усилитель,

Усилитель RF твердого состояния

Усилитель мощности сигнала 80 Вт 28 В 0,7-6,2 ГГц для проводных сетей LAN и типичных VDS

Усилитель мощности сигнала GaN мощностью 100 Вт 5-6 ГГц 12,3 дБ для инфраструктуры беспроводной связи

Усилитель мощности сигнала 100 Вт Усилитель мощности сигнала для 1150-1330 МГц

Профессиональный усилитель мощности сигнала PA 10W 5.8G беспроводный для сети Wifi

Защита от ESD 8dBm Сигнальный усилитель мощности 2,5-7,2 ГГц Для электронных компонентов IC чип

RFint 100% НОВЫЙ Усилитель мощности сигнала 8dBm 2,5-7,2 ГГц RF беспроводной Wi-Fi с буфером

Высокоэффективный 80 Вт 28 В 1,5 Г Усилитель RF для диапазона частот 2,0-6,2 ГГц

2.4 ГГц 40 Вт Трехступенчатый Усилитель питания твердого состояния Усилитель антенны RF для беспроводной связи

Стандартные характеристики Усилитель мощности сигнала 2,4 ГГц Модули RF Усилитель сигнала

40 Вт беспроводной линейный усилитель высокой мощности с плоскостью мощности 1 дБ для 5725-5850 МГц

Проводная локальная сеть 80 Вт генератор RF-сигнала усилителя мощности модуль PA для 700-6200 МГц

Модуль сжатия сигнала

ПКБ с блокировкой сигнала

Усилитель мощности сигнала

Ракета -носитель сигнала

Осиллятор с регулируемым напряжением

Блокировка прибыли

Варекторный диод