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Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
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高効率 50Ω整合 GaN 28V 60W 4000-8000MHz用パワーアンプ トランジスタ

製品詳細

起源の場所: 江蘇省、中国

ブランド名: SZHUASHI

モデル番号: YPM40801860M

支払いと送料の条件

最小注文数量: 1個

価格: 329USD each

パッケージの詳細: カートン

受渡し時間: 2~7営業日

支払条件: T/T

供給の能力: 1000個/月

お問い合わせ
ハイライト:

50Ω整合 GaNパワーアンプ

,

28V 60W 信号パワーアンプ

,

4000-8000MHz トランジスタパワーアンプ

製品名:
RFアンプ
力:
60W
周波数範囲:
4000〜8000MHz
電源:
28V
保管温度:
-65°Cへの+150°C
特徴:
高効率
製品名:
RFアンプ
力:
60W
周波数範囲:
4000〜8000MHz
電源:
28V
保管温度:
-65°Cへの+150°C
特徴:
高効率
高効率 50Ω整合 GaN 28V 60W 4000-8000MHz用パワーアンプ トランジスタ
高効率の50ΩマッチGAN 28V 60W電源増幅器 4000-8000MHzトランジスタ
製品概要

YPM40801860Mは,高効率,高加益,幅広い帯域幅を備えた特別に設計された60ワット,50 Ωマッチガリウムナイトリド (GaN) 高電子移動性トランジスタ (HEMT) である.これは,YPM40801860Mを4000MHzから8000MHzまでの周波数で複数のアプリケーションに理想的です.

  • 高効率と線形加益操作
  • 負ゲート電圧とバイアスシーケンシングが必要
  • 優れた熱安定性 と 優れた頑丈性
  • 陶磁エポキシ蓋で封印された金属型パッケージ
  • 金の金属化システム:チップワイヤー・ボンド・パッケージ
テクニカル仕様
パラメータ 仕様
周波数範囲 4000〜8000MHz
平均出力 60W
稼働電圧 28V DC
貯蔵温度 -65°Cから+150°C
製品画像
YPM60800860M 60W GaN Power Amplifier Technical diagram of YPM60800860M Power Amplifier
製造者情報

2010年に設立され,この製品の公式メーカーです. 我々は,自社の製品ラインの製造と販売に特化した,VCOワイヤレスカードグループ,他のRFコンポーネントを競争力のある価格で.

専門家のチームはRF製品分野における 核心技術に精通しており 複数の独立した知的財産権を保有しています私たちの製品は多くの国内都市に配布され,ロシアを含む国々で国際的な顧客に人気がありますアメリカ,韓国,ベトナム,スウェーデン