Hocheffizienter Elektronenmobilitäts-12-W-28-V-DC-8,5-GHz-GaN-HF-Leistungsverstärker-Transistor-integrierter Chip
Einzelheiten zum Produkt
| Produktname: | Endverstärker | Frequenz (GHz): | DC-8,5 GHz |
|---|---|---|---|
| Schellfisch: | 12W | Charakter: | Hohe Leistung |
| Stromspannung: | 28V | Paket: | Kunststoff DFN-6L 4mm*4,5mm |
| Hervorheben |
12W GaN HF-Leistungsverstärker,28V DC GaN-Transistorchip,8 |
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Beschreibung des Produkts
Der YP801241T von Innotion ist ein 12-Watt Galliumnitrid (GaN) Hochleistungselektronenmobilitätstransistor (HEMT), der speziell für hohe Effizienz, hohen Gewinn und breite Bandbreiten mit Frequenzen bis zu 8500 MHz entwickelt wurde. Der Transistor wird in einem Kunststoff-DFN-6L 4mm*4,5mm Gehäuse geliefert.
| Signalbandbreite | DC-8,5GHz |
|---|---|
| Ausgangsleistung | 12W |
| Spannung | 28V |
| Gehäuse | DFN-6L 4mm*4,5mm Gehäuse |
Gegründet im Jahr 2010 und im Suzhou Industrial Park ansässig, sind wir der einzige offizielle Shop für unsere Produkte. Wir verkaufen unsere selbst hergestellten Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen, darunter:
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Product Highlights
Hocheffizienter Elektronenmobilitätstransistor 12W 28V DC-8,5GHz GaN RF-Leistungsverstärker Integrierter Chip Der YP801241T von Innotion ist ein 12-Watt Galliumnitrid (GaN) Hochleistungselektronenmobilitätstransistor (HEMT), der speziell für hohe Effizienz, hohen Gewinn und breite Bandbreiten mit ...
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