高効率電子移動度 12W 28V DC-8.5GHz GaN RF パワーアンプ トランジスタ統合チップ
製品詳細
| 製品名: | 電力増幅器 | 周波数(GHz): | DC-8.5GHz |
|---|---|---|---|
| ふくれっ面: | 12W | キャラクター: | 高電力 |
| 電圧: | 28V | パッケージ: | プラスチック DFN-6L 4mm*4.5mm |
| ハイライト |
12W GaN RFパワーアンプ,28V DC GaNトランジスタチップ,8.5GHz RFパワーアンプ |
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製品説明
InnotionのYP801241Tは 12ワットで 高効率に設計された 高電子移動性トランジスタ (HEMT)高増幅と8500MHzまでの周波数で広い帯域幅の機能トランジスタは,プラスチック製のDFN-6L 4mm*4.5mmパッケージで提供されています.
| 信号の帯域幅 | DC-8.5GHz |
|---|---|
| 出力 | 12W |
| 電圧 | 28V |
| パッケージ | DFN-6L 4mm*4.5mm パッケージ |
2010年に設立され,鈴州工業公園に位置する,私たちは私たちの製品の唯一の公式ショップです. 我々は競争力のある価格で,私たちの独自の製造製品を販売します.
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Product Highlights
高効率の電子移動 12W 28V DC-8.5GHz GaN RF パワーアンプ トランジスタ統合チップ InnotionのYP801241Tは 12ワットで 高効率に設計された 高電子移動性トランジスタ (HEMT)高増幅と8500MHzまでの周波数で広い帯域幅の機能トランジスタは,プラスチック製のDFN-6L 4mm*4.5mmパッケージで提供されています. 製品仕様 信号の帯域幅 DC-8.5GHz 出力 12W 電圧 28V パッケージ DFN-6L 4mm*4.5mm パッケージ 会社情報 2010年に設立され,鈴州工業公園に位置する,私たちは私たちの製品の唯一の公式ショップです. ...
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