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Puce intégrée de Transistor d'amplificateur de puissance de GaN RF de mobilité électronique de rendement élevé 12W 28V DC-8.5GHz

Name: Puce intégrée de Transistor d'amplificateur de puissance de GaN RF de mobilité électronique de rendement élevé 12W 28V DC-8.5GHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801241T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

Détails du produit

Lieu d'origine: Jiangsu, Chine

Nom de marque: INNOTION

Numéro de modèle: YP801241T

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Quantité de commande min: 10 pièces

Prix: 5.9USD each

Détails d'emballage: Carton

Délai de livraison: 1-3 jours

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Capacité d'approvisionnement: 100000 pièces/mois

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Description du produit

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                                                                                                                                                                                                                                                Amplificateur de puissance RF GaN 12W, Puce de transistor GaN DC 28V, Amplificateur de puissance RF 8
                              

Nom du produit:	Amplificateur de puissance	Fréquence (GHz):	DC-8,5 GHz
Tacaud:	12W	Personnage:	Puissance élevée
Tension:	28V	Emballer:	plastique DFN-6L 4mm*4.5mm

Nom du produit:	Amplificateur de puissance
Fréquence (GHz):	DC-8,5 GHz
Tacaud:	12W
Personnage:	Puissance élevée
Tension:	28V
Emballer:	plastique DFN-6L 4mm*4.5mm

Puce intégrée de Transistor d'amplificateur de puissance de GaN RF de mobilité électronique de rendement élevé 12W 28V DC-8.5GHz

Transistor à haute mobilité électronique à haute efficacité 12W 28V DC-8.5GHz GaN Amplificateur de puissance RF Puce intégrée

Le YP801241T d'Innotion est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) de 12 watts, pré-adapté, conçu spécifiquement pour des capacités de haute efficacité, de gain élevé et de large bande passante avec une fréquence allant jusqu'à 8500 MHz. Le transistor est fourni dans un boîtier plastique DFN-6L de 4 mm * 4,5 mm.

Spécifications du produit

Bande passante du signal	DC-8.5GHz
Puissance de sortie	12W
Tension	28V
Boîtier	Boîtier DFN-6L 4mm*4.5mm

Informations sur la société

Situé dans le parc industriel de Suzhou et fondé en 2010, nous sommes le seul magasin officiel pour nos produits. Nous vendons nos propres produits fabriqués à des prix compétitifs, notamment :

Amplificateurs WiFi
VCO
Sources de signal de balayage
Groupes de cartes sans fil
Autres gammes de produits

Notre philosophie est que les professionnels font des choses professionnelles. Nous avons maîtrisé les technologies de base dans notre domaine de produits et détenons de nombreux droits de propriété intellectuelle indépendants.

Nos produits sont vendus sur les marchés nationaux et sont populaires auprès des clients internationaux dans des pays tels que la Russie, les États-Unis, la Corée du Sud, le Vietnam et la Suède.

Nos services

Nous nous engageons à garantir un service client et un support de première classe pour tous nos produits.

Tags:

amplificateur de signal RF,

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Amplificateur de puissance du signal

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Puce intégrée de Transistor d'amplificateur de puissance de GaN RF de mobilité électronique de rendement élevé 12W 28V DC-8.5GHz

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