Puce intégrée de Transistor d'amplificateur de puissance de GaN RF de mobilité électronique de rendement élevé 12W 28V DC-8.5GHz
Détails du produit
| Nom du produit: | Amplificateur de puissance | Fréquence (GHz): | DC-8,5 GHz |
|---|---|---|---|
| Tacaud: | 12W | Personnage: | Puissance élevée |
| Tension: | 28V | Emballer: | plastique DFN-6L 4mm*4.5mm |
| Mettre en évidence |
Amplificateur de puissance RF GaN 12W,Puce de transistor GaN DC 28V,Amplificateur de puissance RF 8 |
||
Description du produit
Le YP801241T d'Innotion est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) de 12 watts, pré-adapté, conçu spécifiquement pour des capacités de haute efficacité, de gain élevé et de large bande passante avec une fréquence allant jusqu'à 8500 MHz. Le transistor est fourni dans un boîtier plastique DFN-6L de 4 mm * 4,5 mm.
| Bande passante du signal | DC-8.5GHz |
|---|---|
| Puissance de sortie | 12W |
| Tension | 28V |
| Boîtier | Boîtier DFN-6L 4mm*4.5mm |
Situé dans le parc industriel de Suzhou et fondé en 2010, nous sommes le seul magasin officiel pour nos produits. Nous vendons nos propres produits fabriqués à des prix compétitifs, notamment :
- Amplificateurs WiFi
- VCO
- Sources de signal de balayage
- Groupes de cartes sans fil
- Autres gammes de produits
Notre philosophie est que les professionnels font des choses professionnelles. Nous avons maîtrisé les technologies de base dans notre domaine de produits et détenons de nombreux droits de propriété intellectuelle indépendants.
Nos produits sont vendus sur les marchés nationaux et sont populaires auprès des clients internationaux dans des pays tels que la Russie, les États-Unis, la Corée du Sud, le Vietnam et la Suède.
Nous nous engageons à garantir un service client et un support de première classe pour tous nos produits.
Product Highlights
Transistor à haute mobilité électronique à haute efficacité 12W 28V DC-8.5GHz GaN Amplificateur de puissance RF Puce intégrée Le YP801241T d'Innotion est un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) de 12 watts, pré-adapté, conçu spécifiquement pour des capacités de ...
Amplificateur d'alimentation RF de 50W 28V Booster Wifi haute puissance optimisé pour 700MHz-2100MHz
SZHUASHI 100% New WIFI REPEATER 50W 28V Gain Power Amplifier PA Optimized for 700MHz-2100MHz YPM07211050M Product Description YPM07211050M s a 50-watt, internally 50ohm matched GaN HEMT, designed specifically with high efficiency, high stability and wide bandwidth capabilities, which makes the ...
Circuits de réglage de diodes à variateur de haute capacité Diode à capacité variable
High Capacitance Ratio Varactor Diode 15V Reverse Current for SZHUASHI Standard Package in Class1B ESD Human Body Model Product Description Mark: D3 PN:YVC024P034RD High capacitance ratio: C0v/C5v=3.4 (typ.) Low series resistance for low phase noise Designed for high volume commercial applications ...
InGaP HBT MMIC 50 à 4000MHz Amplificateur de puissance Wifi IC à bloc de gain
SZHUASHI 100% New YG602020 InGaP HBT MMIC Gain Block Amplifier Operating Frequency 50MHz to 4000MHz Product Description The YG602020 is a high performance InGaP HBT MMIC gain block amplifier utilizing a Darlington pair configuration with an active bias network. The active bias network provides ...
10W 840-940MHz contre les brouilleurs de drones GSM/CDMA Module de protection du signal sans fil
SZHUASHI 100% New RF Blocker Series 10W 840MHz-940MHz GSM/CDMA Jammer Wireless Signal Shielding Module UAV Anti Drone Blocker Product Description YJM0910B is a wireless signal shielding module dedicated to 840-940MHz signal. This module has the advantages of high average output power, good in band ...
Please use our online inquiry contact form below if you have any questions, our team will get back to you as soon as possible.
