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Chip integrado de Transistor amplificador de potencia GaN RF de movilidad de electrones de alta eficiencia 12W 28V DC-8.5GHz

Name: Chip integrado de Transistor amplificador de potencia GaN RF de movilidad de electrones de alta eficiencia 12W 28V DC-8.5GHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801241T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: Jiangsu, China

Nombre de la marca: INNOTION

Número de modelo: YP801241T

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 Uds.

Precio: 5.9USD each

Detalles de empaquetado: Caja de cartón

Tiempo de entrega: 1-3 días

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 100000 unidades/mes

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Descripción del producto

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                                                                                                                                                                                                                                                Amplificador de potencia de RF GaN de 12W, Chip de transistor GaN de CC de 28V, Amplificador de potencia de RF de 8.5GHz
                              

Nombre del producto:	Amplificador de potencia	Frecuencia (GHz):	CC-8,5 GHz
Abadejo:	12W	Personaje:	Energía alta
Voltaje:	28V	Paquete:	plástico DFN-6L 4mm*4.5mm

Nombre del producto:	Amplificador de potencia
Frecuencia (GHz):	CC-8,5 GHz
Abadejo:	12W
Personaje:	Energía alta
Voltaje:	28V
Paquete:	plástico DFN-6L 4mm*4.5mm

Chip integrado de Transistor amplificador de potencia GaN RF de movilidad de electrones de alta eficiencia 12W 28V DC-8.5GHz

Mobilidad electrónica de alta eficiencia 12W 28V DC-8.5GHz GaN RF Amplificador de potencia Transistor Chip integrado

El YP801241T de Innotion es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 12 vatios, diseñado específicamente con alta eficiencia,capacidades de alta ganancia y ancho de banda amplio con frecuencia de hasta 8500 MHzEl transistor se suministra en un paquete de plástico DFN-6L de 4 mm*4,5 mm.

Especificaciones del producto

Ancho de banda de la señal	DC-8.5 GHz
Potencia de salida	12 W
Válvula de tensión	28 V
Paquete	Envase DFN-6L de 4 mm*4,5 mm

Información sobre la empresa

Ubicado en el Parque Industrial de Suzhou y fundado en 2010, somos la única tienda oficial para nuestros productos.

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Nuestra filosofía es que los profesionales hagan cosas profesionales. Hemos dominado las tecnologías centrales en nuestro campo de productos y poseemos numerosos derechos de propiedad intelectual independientes.

Nuestros productos se venden en todos los mercados nacionales y son populares entre los clientes internacionales en países como Rusia, Estados Unidos, Corea del Sur, Vietnam y Suecia.

Nuestros servicios

Nos mantenemos firmes en nuestro compromiso de garantizar un servicio al cliente de primera clase y soporte para todos nuestros productos.

Tags:

amplificador de señal de RF,

Módulo de interferencia de señal

PCB de bloqueador de señal

Amplificador de potencia de señal

Aumentador de presión de la señal

Los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatu

Bloqueo de ganancia

Diodo variador

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