Chip integrado de Transistor amplificador de potencia GaN RF de movilidad de electrones de alta eficiencia 12W 28V DC-8.5GHz
Detalles del producto
| Nombre del producto: | Amplificador de potencia | Frecuencia (GHz): | CC-8,5 GHz |
|---|---|---|---|
| Abadejo: | 12W | Personaje: | Energía alta |
| Voltaje: | 28V | Paquete: | plástico DFN-6L 4mm*4.5mm |
| Resaltar |
Amplificador de potencia de RF GaN de 12W,Chip de transistor GaN de CC de 28V,Amplificador de potencia de RF de 8.5GHz |
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Descripción del producto
El YP801241T de Innotion es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 12 vatios, diseñado específicamente con alta eficiencia,capacidades de alta ganancia y ancho de banda amplio con frecuencia de hasta 8500 MHzEl transistor se suministra en un paquete de plástico DFN-6L de 4 mm*4,5 mm.
| Ancho de banda de la señal | DC-8.5 GHz |
|---|---|
| Potencia de salida | 12 W |
| Válvula de tensión | 28 V |
| Paquete | Envase DFN-6L de 4 mm*4,5 mm |
Ubicado en el Parque Industrial de Suzhou y fundado en 2010, somos la única tienda oficial para nuestros productos.
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Nuestros productos se venden en todos los mercados nacionales y son populares entre los clientes internacionales en países como Rusia, Estados Unidos, Corea del Sur, Vietnam y Suecia.
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Product Highlights
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