Chip integrato nel transistor dell'amplificatore di potenza RF GaN 12W 28V DC-8.5GHz per mobilità elettronica ad alta efficienza
Dettagli del prodotto
| Nome del prodotto: | Amplificatore di potenza | Frequenza(GHz): | CC-8,5 GHz |
|---|---|---|---|
| Pesce gatto: | 12 W | Carattere: | Alta potenza |
| Voltaggio: | 28 V | Pacchetto: | plastica DFN-6L 4 mm*4,5 mm |
| Evidenziare |
Amplificatore di potenza RF GaN di 12 W,chip transistor GaN a corrente continua di 28 V,8Amplificatore di potenza RF a.5 GHz |
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Descrizione del prodotto
Il YP801241T di Innotion è un transistor a nitruro di gallio (GaN) ad alta mobilità elettronica (HEMT) da 12 watt, pre-adattato, progettato specificamente con capacità di alta efficienza, alto guadagno e ampia larghezza di banda con frequenza fino a 8500 MHz. Il transistor è fornito in un package plastico DFN-6L 4mm*4.5mm.
| Larghezza di Banda del Segnale | DC-8.5GHz |
|---|---|
| Potenza di Uscita | 12W |
| Tensione | 28V |
| Package | Package DFN-6L 4mm*4.5mm |
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Product Highlights
Transistor Integrato GaN RF ad Alta Efficienza con Mobilità Elettronica 12W 28V DC-8.5GHz Il YP801241T di Innotion è un transistor a nitruro di gallio (GaN) ad alta mobilità elettronica (HEMT) da 12 watt, pre-adattato, progettato specificamente con capacità di alta efficienza, alto guadagno e ampia ...
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