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Chip integrato nel transistor dell'amplificatore di potenza RF GaN 12W 28V DC-8.5GHz per mobilità elettronica ad alta efficienza

Name: Chip integrato nel transistor dell'amplificatore di potenza RF GaN 12W 28V DC-8.5GHz per mobilità elettronica ad alta efficienza
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801241T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Jiangsu, Cina

Marca: INNOTION

Numero di modello: YP801241T

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Quantità di ordine minimo: 10 pezzi

Prezzo: 5.9USD each

Imballaggi particolari: Cartone

Tempi di consegna: 1-3 giorni

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Capacità di alimentazione: 100.000 pezzi/mese

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Descrizione del prodotto

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                                                                                                                                                                                                                                                Amplificatore di potenza RF GaN di 12 W, chip transistor GaN a corrente continua di 28 V, 8Amplificatore di potenza RF a.5 GHz
                              

Nome del prodotto:	Amplificatore di potenza	Frequenza(GHz):	CC-8,5 GHz
Pesce gatto:	12 W	Carattere:	Alta potenza
Voltaggio:	28 V	Pacchetto:	plastica DFN-6L 4 mm*4,5 mm

Nome del prodotto:	Amplificatore di potenza
Frequenza(GHz):	CC-8,5 GHz
Pesce gatto:	12 W
Carattere:	Alta potenza
Voltaggio:	28 V
Pacchetto:	plastica DFN-6L 4 mm*4,5 mm

Chip integrato nel transistor dell'amplificatore di potenza RF GaN 12W 28V DC-8.5GHz per mobilità elettronica ad alta efficienza

Transistor Integrato GaN RF ad Alta Efficienza con Mobilità Elettronica 12W 28V DC-8.5GHz

Il YP801241T di Innotion è un transistor a nitruro di gallio (GaN) ad alta mobilità elettronica (HEMT) da 12 watt, pre-adattato, progettato specificamente con capacità di alta efficienza, alto guadagno e ampia larghezza di banda con frequenza fino a 8500 MHz. Il transistor è fornito in un package plastico DFN-6L 4mm*4.5mm.

Specifiche del Prodotto

Larghezza di Banda del Segnale	DC-8.5GHz
Potenza di Uscita	12W
Tensione	28V
Package	Package DFN-6L 4mm*4.5mm

Informazioni sull'Azienda

Situati nel Suzhou Industrial Park e fondati nel 2010, siamo l'unico negozio ufficiale per i nostri prodotti. Vendiamo i nostri prodotti fabbricati a prezzi competitivi, tra cui:

Amplificatori WiFi
VCO
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amplificatore del segnale rf,

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Blocco di guadagno

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Chip integrato nel transistor dell'amplificatore di potenza RF GaN 12W 28V DC-8.5GHz per mobilità elettronica ad alta efficienza

Amplificatore di potenza RF GaN di 12 W

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