고효율 전자 이동성 12W 28V DC-8.5GHz GaN RF 전력 증폭기 트랜지스터 통합 칩
제품 세부 정보
| 제품명: | 전력 증폭기 | 주파수(GHz): | DC-8.5GHz |
|---|---|---|---|
| 입을 삐죽거리기: | 12W | 성격: | 고전력 |
| 전압: | 28V | 패키지: | 플라스틱 DFN-6L 4mm*4.5mm |
| 강조하다 |
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제품 설명
인노션의 YP801241T는 12W의, 전조된 갈륨산화물 (GaN) 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 입니다.8500MHz까지의 주파수와 함께 높은 이득과 넓은 대역폭의 기능트랜지스터는 플라스틱 DFN-6L 4mm * 4.5mm 패키지로 제공됩니다.
| 신호 대역폭 | DC-8.5GHz |
|---|---|
| 출력 전력 | 12W |
| 전압 | 28V |
| 패키지 | DFN-6L 4mm*4.5mm 패키지 |
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Product Highlights
고효율 전자 이동성 12W 28V DC-8.5GHz GaN RF 전력 증폭기 트랜지스터 통합 칩 인노션의 YP801241T는 12W의, 전조된 갈륨산화물 (GaN) 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 입니다.8500MHz까지의 주파수와 함께 높은 이득과 넓은 대역폭의 기능트랜지스터는 플라스틱 DFN-6L 4mm * 4.5mm 패키지로 제공됩니다. 제품 사양 신호 대역폭 DC-8.5GHz 출력 전력 12W 전압 28V 패키지 DFN-6L 4mm*4.5mm 패키지 회사 정보 수저우 산업 공원에서 위치하고 2010 년에 설립 된 우리는 ...
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