продукты

Домой > продукты > Усилитель мощности сигнала > Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип

Категории

Осиллятор с регулируемым напряжением

(78)

Варекторный диод

(4)

Контакты

Контакты: Ms. Zhou

Телефон: 86-512-67066119

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип

Name: Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801241T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

Подробная информация о продукции

Место происхождения: Цзянсу, Китай

Фирменное наименование: INNOTION

Номер модели: YP801241T

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 10 шт.

Цена: 5.9USD each

Упаковывая детали: Картонная коробка

Время доставки: 1-3 дня

Условия оплаты: Т/Т

Поставка способности: 100000 шт/месяц

Получите самую лучшую цену

Подробная информация о продукции

Описание продукта

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                Усилитель мощности 12 Вт GaN RF, Чип транзистора GaN 28V DC, 8Усилитель мощности на частоте 5 ГГц
                              

Название продукта:	Усилитель силы	Частота (ГГц):	DC-8,5 ГГц
Pout:	12 Вт	Характер:	Высокая мощность
Напряжение:	28В	Упаковка:	пластик ДФН-6Л 4мм*4,5мм

Название продукта:	Усилитель силы
Частота (ГГц):	DC-8,5 ГГц
Pout:	12 Вт
Характер:	Высокая мощность
Напряжение:	28В
Упаковка:	пластик ДФН-6Л 4мм*4,5мм

Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип

Высокоэффективный транзистор с высокой подвижностью электронов, 12 Вт, 28 В постоянного тока, 8,5 ГГц, GaN ВЧ-мощный усилитель, интегрированная микросхема

YP801241T от Innotion — это 12-ваттный предварительно согласованный транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN), разработанный специально для обеспечения высокой эффективности, высокого коэффициента усиления и широкой полосы пропускания с частотой до 8500 МГц. Транзистор поставляется в пластиковом корпусе DFN-6L размером 4 мм * 4,5 мм.

Технические характеристики продукта

Полоса пропускания сигнала	DC-8,5 ГГц
Выходная мощность	12 Вт
Напряжение	28 В
Корпус	Корпус DFN-6L 4 мм * 4,5 мм

Информация о компании

Расположенная в Промышленном парке Сучжоу и основанная в 2010 году, мы являемся единственным официальным магазином нашей продукции. Мы продаем продукцию собственного производства по конкурентоспособным ценам, включая:

WiFi усилители
VCO
Источники качающихся сигналов
Группы беспроводных карт
Другие линейки продуктов

Наша философия заключается в том, что профессионалы делают профессиональную работу. Мы освоили основные технологии в нашей области продукции и обладаем многочисленными независимыми правами интеллектуальной собственности.

Наша продукция продается на внутреннем рынке и пользуется популярностью у международных клиентов в таких странах, как Россия, США, Южная Корея, Вьетнам и Швеция.

Наши услуги

Мы придерживаемся нашего обязательства обеспечивать первоклассное обслуживание клиентов и поддержку всех наших продуктов.

Tags:

Усилитель сигнала RF,

Модуль сжатия сигнала

ПКБ с блокировкой сигнала

Усилитель мощности сигнала

Ракета -носитель сигнала

Осиллятор с регулируемым напряжением

Блокировка прибыли

Варекторный диод

Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип

Усилитель мощности 12 Вт GaN RF

Чип транзистора GaN 28V DC

8Усилитель мощности на частоте 5 ГГц

Усилитель сигнала RF,

высокомощный Wi-Fi-усилитель,

Усилитель RF твердого состояния

Усилитель мощности сигнала 80 Вт 28 В 0,7-6,2 ГГц для проводных сетей LAN и типичных VDS

Усилитель мощности сигнала GaN мощностью 100 Вт 5-6 ГГц 12,3 дБ для инфраструктуры беспроводной связи

Усилитель мощности сигнала 100 Вт Усилитель мощности сигнала для 1150-1330 МГц

Профессиональный усилитель мощности сигнала PA 10W 5.8G беспроводный для сети Wifi

Защита от ESD 8dBm Сигнальный усилитель мощности 2,5-7,2 ГГц Для электронных компонентов IC чип

RFint 100% НОВЫЙ Усилитель мощности сигнала 8dBm 2,5-7,2 ГГц RF беспроводной Wi-Fi с буфером

Высокоэффективный 80 Вт 28 В 1,5 Г Усилитель RF для диапазона частот 2,0-6,2 ГГц

2.4 ГГц 40 Вт Трехступенчатый Усилитель питания твердого состояния Усилитель антенны RF для беспроводной связи

Стандартные характеристики Усилитель мощности сигнала 2,4 ГГц Модули RF Усилитель сигнала

40 Вт беспроводной линейный усилитель высокой мощности с плоскостью мощности 1 дБ для 5725-5850 МГц

Проводная локальная сеть 80 Вт генератор RF-сигнала усилителя мощности модуль PA для 700-6200 МГц

Модуль сжатия сигнала

ПКБ с блокировкой сигнала

Усилитель мощности сигнала

Ракета -носитель сигнала

Осиллятор с регулируемым напряжением

Блокировка прибыли

Варекторный диод