logo
Качество Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип Фабрика
<
Качество Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип Фабрика
Качество Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип Фабрика
Качество Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип Фабрика
>

Высокая эффективность подвижности электронов 12 Вт 28 В постоянного тока-8,5 ГГц GaN RF усилитель мощности транзисторный интегрированный чип

Brand Name: INNOTION
Model Number: YP801241T
Place of Origin: Цзянсу, Китай
Minimum Order Quantity: 10 шт.
Price: 5.9USD each
Supply Ability: 100000 шт/месяц
Delivery Time: 1-3 дня
Payment Terms: Т/Т
Standard Packaging: Картонная коробка

Подробная информация о продукции


Название продукта: Усилитель силы Частота (ГГц): DC-8,5 ГГц
Pout: 12 Вт Характер: Высокая мощность
Напряжение: 28В Упаковка: пластик ДФН-6Л 4мм*4,5мм
Выделить

Усилитель мощности 12 Вт GaN RF

,

Чип транзистора GaN 28V DC

,

8Усилитель мощности на частоте 5 ГГц

Описание продукта

Высокоэффективный транзистор с высокой подвижностью электронов, 12 Вт, 28 В постоянного тока, 8,5 ГГц, GaN ВЧ-мощный усилитель, интегрированная микросхема

YP801241T от Innotion — это 12-ваттный предварительно согласованный транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN), разработанный специально для обеспечения высокой эффективности, высокого коэффициента усиления и широкой полосы пропускания с частотой до 8500 МГц. Транзистор поставляется в пластиковом корпусе DFN-6L размером 4 мм * 4,5 мм.

Технические характеристики продукта
Полоса пропускания сигнала DC-8,5 ГГц
Выходная мощность 12 Вт
Напряжение 28 В
Корпус Корпус DFN-6L 4 мм * 4,5 мм
YP801241T GaN RF Power Amplifier Transistor
Technical specifications and performance data for YP801241T transistor
Информация о компании

Расположенная в Промышленном парке Сучжоу и основанная в 2010 году, мы являемся единственным официальным магазином нашей продукции. Мы продаем продукцию собственного производства по конкурентоспособным ценам, включая:

  • WiFi усилители
  • VCO
  • Источники качающихся сигналов
  • Группы беспроводных карт
  • Другие линейки продуктов

Наша философия заключается в том, что профессионалы делают профессиональную работу. Мы освоили основные технологии в нашей области продукции и обладаем многочисленными независимыми правами интеллектуальной собственности.

Наша продукция продается на внутреннем рынке и пользуется популярностью у международных клиентов в таких странах, как Россия, США, Южная Корея, Вьетнам и Швеция.

Наши услуги

Мы придерживаемся нашего обязательства обеспечивать первоклассное обслуживание клиентов и поддержку всех наших продуктов.

Product Highlights

Высокоэффективный транзистор с высокой подвижностью электронов, 12 Вт, 28 В постоянного тока, 8,5 ГГц, GaN ВЧ-мощный усилитель, интегрированная микросхема YP801241T от Innotion — это 12-ваттный предварительно согласованный транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия ...

Related Products
Качество Усилитель мощности 50 Вт 28 Вт Rf Усилитель мощности Wi-Fi с высокой мощностью, оптимизированный для 700-2100 МГц Фабрика

Усилитель мощности 50 Вт 28 Вт Rf Усилитель мощности Wi-Fi с высокой мощностью, оптимизированный для 700-2100 МГц

SZHUASHI 100% New WIFI REPEATER 50W 28V Gain Power Amplifier PA Optimized for 700MHz-2100MHz YPM07211050M Product Description YPM07211050M s a 50-watt, internally 50ohm matched GaN HEMT, designed specifically with high efficiency, high stability and wide bandwidth capabilities, which makes the ...

Качество Высокомощные диоды настройки варакторов Диод с переменной емкостью Фабрика

Высокомощные диоды настройки варакторов Диод с переменной емкостью

High Capacitance Ratio Varactor Diode 15V Reverse Current for SZHUASHI Standard Package in Class1B ESD Human Body Model Product Description Mark: D3 PN:YVC024P034RD High capacitance ratio: C0v/C5v=3.4 (typ.) Low series resistance for low phase noise Designed for high volume commercial applications ...

Качество InGaP HBT MMIC 50 до 4000 МГц Усилитель мощности IC Wifi Gain Block Фабрика

InGaP HBT MMIC 50 до 4000 МГц Усилитель мощности IC Wifi Gain Block

SZHUASHI 100% New YG602020 InGaP HBT MMIC Gain Block Amplifier Operating Frequency 50MHz to 4000MHz Product Description The YG602020 is a high performance InGaP HBT MMIC gain block amplifier utilizing a Darlington pair configuration with an active bias network. The active bias network provides ...

Качество Модуль защиты беспроводного сигнала GSM/CDMA Фабрика

Модуль защиты беспроводного сигнала GSM/CDMA

SZHUASHI 100% New RF Blocker Series 10W 840MHz-940MHz GSM/CDMA Jammer Wireless Signal Shielding Module UAV Anti Drone Blocker Product Description YJM0910B is a wireless signal shielding module dedicated to 840-940MHz signal. This module has the advantages of high average output power, good in band ...

Request A Quote

Please use our online inquiry contact form below if you have any questions, our team will get back to you as soon as possible.

You can upload up to 5 files and Each file sized 10M max.