Chip integrado do transistor do amplificador de potência de GaN RF da mobilidade eletrônica da eficiência elevada 12W 28V DC-8.5GHz
Detalhes do produto
| Nome do produto: | Amplificador de potência | Frequência (GHz): | DC-8,5 GHz |
|---|---|---|---|
| Lota: | 12W | Personagem: | Alta potência |
| Tensão: | 28 V | Pacote: | plástico DFN-6L 4 mm * 4,5 mm |
| Destacar |
Amplificador de potência RF GaN de 12W,Chip de transistor GaN DC de 28V,Amplificador de potência RF de 8 |
||
Descrição do produto
O YP801241T da Innotion é um transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de nitreto de gálio (GaN) pré-adaptado de 12 watts, projetado especificamente com capacidades de alta eficiência, alto ganho e ampla largura de banda com frequência de até 8500MHz. O transistor é fornecido em um encapsulamento plástico DFN-6L de 4mm*4.5mm.
| Largura de Banda do Sinal | DC-8.5GHz |
|---|---|
| Potência de Saída | 12W |
| Tensão | 28V |
| Encapsulamento | Encapsulamento DFN-6L 4mm*4.5mm |
Localizada no Parque Industrial de Suzhou e fundada em 2010, somos a única loja oficial de nossos produtos. Vendemos nossos próprios produtos fabricados a preços competitivos, incluindo:
- Amplificadores WiFi
- VCOs
- Fontes de sinal de varredura
- Grupos de placas sem fio
- Outras linhas de produtos
Nossa filosofia é que pessoas profissionais fazem coisas profissionais. Dominamos tecnologias centrais em nosso campo de produtos e possuímos inúmeros direitos de propriedade intelectual independentes.
Nossos produtos são vendidos em todo o mercado doméstico e são populares entre clientes internacionais em países como Rússia, Estados Unidos, Coreia do Sul, Vietnã e Suécia.
Mantemos nosso compromisso de garantir atendimento e suporte ao cliente de primeira classe para todos os nossos produtos.
Product Highlights
Transistor Integrado de Chip Amplificador de Potência RF GaN de Alta Eficiência e Mobilidade Eletrônica 12W 28V DC-8.5GHz O YP801241T da Innotion é um transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de nitreto de gálio (GaN) pré-adaptado de 12 watts, projetado especificamente com capacidades de ...
Amplificador de potência 50W 28V RF Wifi de alta potência otimizado para 700MHz-2100MHz
SZHUASHI 100% New WIFI REPEATER 50W 28V Gain Power Amplifier PA Optimized for 700MHz-2100MHz YPM07211050M Product Description YPM07211050M s a 50-watt, internally 50ohm matched GaN HEMT, designed specifically with high efficiency, high stability and wide bandwidth capabilities, which makes the ...
Circuitos de ajuste de diodos variadores de alta capacidade Diodos de capacidade variável
High Capacitance Ratio Varactor Diode 15V Reverse Current for SZHUASHI Standard Package in Class1B ESD Human Body Model Product Description Mark: D3 PN:YVC024P034RD High capacitance ratio: C0v/C5v=3.4 (typ.) Low series resistance for low phase noise Designed for high volume commercial applications ...
InGaP HBT MMIC 50 a 4000MHz Gain Block IC Amplificador de Potência Wifi
SZHUASHI 100% New YG602020 InGaP HBT MMIC Gain Block Amplifier Operating Frequency 50MHz to 4000MHz Product Description The YG602020 is a high performance InGaP HBT MMIC gain block amplifier utilizing a Darlington pair configuration with an active bias network. The active bias network provides ...
10W 840-940MHz Modulo de proteção de sinal sem fio GSM/CDMA
SZHUASHI 100% New RF Blocker Series 10W 840MHz-940MHz GSM/CDMA Jammer Wireless Signal Shielding Module UAV Anti Drone Blocker Product Description YJM0910B is a wireless signal shielding module dedicated to 840-940MHz signal. This module has the advantages of high average output power, good in band ...
Please use our online inquiry contact form below if you have any questions, our team will get back to you as soon as possible.
