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Hochlinearer Leistungsverstärker-Chip YP3035W-H

2025-07-04

Hochlinearer Leistungsverstärker-Chip YP3035W-H

Der HF-Leistungsverstärker-Chip YP3035W-H verwendet eine Reihe von unabhängigen, patentierten Technologien von Innosun Technology und einen fortschrittlichen InGap/GaAs-HBT-Prozess und weist eine hohe Verstärkung und Linearität auf.
Eine ESD-Schutzeinheit ist in den Chip integriert, was eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet.
Er verwendet eine QFN-Gehäuseform, die Industriestandards entspricht, mit einer Gehäusegröße von 4 mm × 4 mm, was die Integration und Miniaturisierung des Systems erleichtert.
Wichtige Leistungsindikatoren:
- Arbeitsfrequenzband: 2000~3000 MHz
- Betriebsspannung: 3,3~5,0 V
- Verstärkung: 33 dB
- Ausgangsleistung: 36 dBm@5,0 V
- Ruhestrom: 250 mA
- Eingangsreflexionsdämpfung: >15 dB
- Intern integrierte Leistungsmessungseinheit
- Intern integrierte ESD-Schutzeinheit
- Gehäuseform: QFN-16L 4 mm × 4 mm
- Arbeitstemperatur: -40℃~85℃

Anwendungsbereiche:
-2,4 GHz Internet der Dinge
-IEEE 802.11b/g/n/ac Wireless Local Area Network
- High-End-WLAN-Karte, Wireless-AP
-LTE
-Wibro 2,3 GHz bis 2,4 GHz
-WiMAX 2,5 GHz bis 2,7 GHz

Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.

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