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Chip amplificador de potência de alta linearidade YP3035W-H

2025-07-04

Chip de amplificador de potência de alta linearidade YP3035W-H

O chip amplificador de potência de RF YP3035W-H adota uma série de tecnologias patenteadas independentes da Innosun Technology e o avançado processo InGap/GaAs HBT, e possui alto ganho e linearidade;
Uma unidade de proteção ESD está integrada no interior do chip, que tem uma alta confiabilidade.
Adota um formulário de embalagem QFN que cumpre os padrões da indústria, com um tamanho de embalagem de 4 mm × 4 mm, que é fácil de integrar e miniaturizar o sistema.
Principais indicadores de desempenho:
- Faixa de frequência de trabalho: 2000~3000MHz
- Tensão de trabalho: 3,3 V a 5,0 V
- Ganho: 33 dB.
- Potência de saída: 36 dBm@5,0 V
- Corrente de quiescência: 250 mA
- Perda de retorno de entrada: > 15 dB
- Unidade interna de detecção de potência integrada
- Unidade de protecção ESD integrada interna
- Forma de embalagem: QFN-16L 4 mm × 4 mm
- Temperatura de trabalho: -40°C a 85°C

Áreas de aplicação:
- 2,4 GHz Internet das Coisas
- IEEE 802.11b/g/n/ac rede de área local sem fios
- Cartão de rede sem fio de ponta, AP sem fio.
-LTE
-Wibro 2,3 GHz a 2,4 GHz
- WiMAX 2,5 GHz a 2,7 GHz

Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.

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Chip amplificador de potência de alta linearidade YP3035W-H

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