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Chip amplificador de potencia de alta linealidad YP3035W-H

2025-07-04

Chip amplificador de potencia de alta linealidad YP3035W-H

El chip amplificador de potencia de RF YP3035W-H adopta una serie de tecnologías patentadas independientes de Innosun Technology y el avanzado proceso InGap/GaAs HBT, y tiene alta ganancia y linealidad;
Se integra una unidad de protección ESD dentro del chip, que tiene alta confiabilidad.
Adopta una forma de empaquetado QFN que cumple con los estándares de la industria, con un tamaño de empaquetado de 4 mm × 4 mm, lo que facilita la integración y miniaturización del sistema.
Indicadores de rendimiento principales:
- Banda de frecuencia de trabajo: 2000~3000MHz
- Voltaje de trabajo: 3.3~5.0V
- Ganancia: 33dB
- Potencia de salida: 36dBm@5.0V
- Corriente de reposo: 250mA
- Pérdida de retorno de entrada: >15dB
- Unidad de detección de potencia integrada interna
- Unidad de protección ESD integrada interna
- Forma de empaquetado: QFN-16L 4mm × 4mm
- Temperatura de trabajo: -40℃~85℃

Áreas de aplicación:
- Internet de las cosas a 2.4GHz
- Red de área local inalámbrica IEEE 802.11b/g/n/ac
- Tarjeta de red inalámbrica de alta gama, AP inalámbrico
- LTE
- Wibro de 2.3GHz a 2.4GHz
- WiMAX de 2.5GHz a 2.7GHz

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