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Ultimo caso aziendale su Chip amplificatore di potenza ad alta linearità YP3035W-H

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Chip amplificatore di potenza ad alta linearità YP3035W-H

2025-07-04

Chip amplificatore di potenza ad alta linearità YP3035W-H

Il chip amplificatore di potenza RF YP3035W-H adotta una serie di tecnologie brevettate indipendenti di Innosun Technology e un processo avanzato InGap/GaAs HBT, e ha un alto guadagno e linearità;
Un'unità di protezione ESD è integrata all'interno del chip, che ha un'alta affidabilità.
Adotta una forma di package QFN conforme agli standard industriali, con una dimensione del package di 4mm × 4mm, che è facile da integrare e miniaturizzare il sistema.
Principali indicatori di prestazione:
- Banda di frequenza di lavoro: 2000~3000MHz
- Tensione di lavoro: 3.3~5.0V
- Guadagno: 33dB
- Potenza di uscita: 36dBm@5.0V
- Corrente di riposo: 250mA
- Perdita di ritorno in ingresso: >15dB
- Unità di rilevamento della potenza integrata internamente
- Unità di protezione ESD integrata internamente
- Forma di packaging: QFN-16L 4mm × 4mm
- Temperatura di lavoro: -40℃~85℃

Aree di applicazione:
- Internet of Things a 2.4GHz
- Rete locale wireless IEEE 802.11b/g/n/ac
- Scheda di rete wireless di fascia alta, AP wireless
- LTE
- Wibro da 2.3GHz a 2.4GHz
- WiMAX da 2.5GHz a 2.7GHz

Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.

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