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High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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Detalles del producto

Lugar de origen: Jiangsu, China

Nombre de la marca: SZHUASHI

Número de modelo: YPM40801860M

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 pieza

Precio: Negotiated

Detalles de empaquetado: Caja de cartón

Tiempo de entrega: 2-7 días laborables

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000 unidades/mes

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción del producto
Resaltar:
Nombre del producto:
amplificador de radiofrecuencia
Fuerza:
60W
Rango de frecuencia:
4 000-8 000 MHz
Fuente de alimentación:
28V
Nombre del producto:
amplificador de radiofrecuencia
Fuerza:
60W
Rango de frecuencia:
4 000-8 000 MHz
Fuente de alimentación:
28V
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor Product Overview YPM40801860M is a 60-watt, 50 Ω -matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the YPM40801860M ideal for multiple applications with frequency from 4000MHz to 8000MHz. High Efficiency and Linear Gain Operation Negative Gate Voltage and Bias

Tags:

amplificador de señal de RF,

refuerzo wifi de alta potencia,

amplificador de RF de estado sólido

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