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Para casa > Produtos > Amplificador de potência de sinal > High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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Detalhes do produto

Lugar de origem: Jiangsu, China

Marca: SZHUASHI

Número do modelo: YPM40801860M

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1 peça

Preço: Negotiated

Detalhes da embalagem: Caixa

Tempo de entrega: 2 a 7 dias úteis

Termos de pagamento: T/T

Habilidade da fonte: 1000 unidades/mês

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Nome do produto:
Amplificador de RF
Poder:
60W
Faixa de frequência:
4000-8000 MHz
Fonte de energia:
28 V
Nome do produto:
Amplificador de RF
Poder:
60W
Faixa de frequência:
4000-8000 MHz
Fonte de energia:
28 V
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor Product Overview YPM40801860M is a 60-watt, 50 Ω -matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the YPM40801860M ideal for multiple applications with frequency from 4000MHz to 8000MHz. High Efficiency and Linear Gain Operation Negative Gate Voltage and Bias

Tags:

Amplificador de sinal rf,

Reforçador Wi-Fi de alta potência,

Amplificador de rádio de estado sólido

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