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Casa. > Prodotti > Amplificatore di potenza del segnale > High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Jiangsu, Cina

Marca: SZHUASHI

Numero di modello: YPM40801860M

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 1 pezzo

Prezzo: Negotiated

Imballaggi particolari: Cartone

Tempi di consegna: 2-7 giorni lavorativi

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 1000 pezzi/mese

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Dettagli del prodotto

Descrizione del prodotto
Evidenziare:
Nome del prodotto:
Amplificatore RF
Energia:
60 W
Gamma di frequenza:
4000-8000 MHz
Alimentazione elettrica:
28 V
Nome del prodotto:
Amplificatore RF
Energia:
60 W
Gamma di frequenza:
4000-8000 MHz
Alimentazione elettrica:
28 V
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor Product Overview YPM40801860M is a 60-watt, 50 Ω -matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the YPM40801860M ideal for multiple applications with frequency from 4000MHz to 8000MHz. High Efficiency and Linear Gain Operation Negative Gate Voltage and Bias

Tags:

amplificatore del segnale rf,

amplificatore wifi ad alta potenza,

amplificatore RF a stato solido

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