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家へ > 製品 > シグナルパワーアンプ > High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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製品詳細

起源の場所: 江蘇省、中国

ブランド名: SZHUASHI

モデル番号: YPM40801860M

支払いと送料の条件

最小注文数量: 1個

価格: Negotiated

パッケージの詳細: カートン

受渡し時間: 2～7営業日

支払条件: T/T

供給の能力: 1000個/月

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製品詳細

製品説明
ハイライト:
製品名:
RFアンプ
力:
60W
周波数範囲:
4000〜8000MHz
電源:
28V
製品名:
RFアンプ
力:
60W
周波数範囲:
4000〜8000MHz
電源:
28V
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor Product Overview YPM40801860M is a 60-watt, 50 Ω -matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the YPM40801860M ideal for multiple applications with frequency from 4000MHz to 8000MHz. High Efficiency and Linear Gain Operation Negative Gate Voltage and Bias

Tags:

rf信号増幅器,

高性能WiFiブースター,

固体 RF 増幅器

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