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High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
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Détails du produit

Lieu d'origine: Jiangsu, Chine

Nom de marque: SZHUASHI

Numéro de modèle: YPM40801860M

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1 pièce

Prix: Negotiated

Détails d'emballage: Carton

Délai de livraison: 2-7 jours ouvrables

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces/mois

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Détails du produit

Description du produit
Mettre en évidence:
Nom du produit:
Amplificateur RF
Pouvoir:
60W
Gamme de fréquences:
4 000 à 8 000 MHz
Alimentation:
28V
Nom du produit:
Amplificateur RF
Pouvoir:
60W
Gamme de fréquences:
4 000 à 8 000 MHz
Alimentation:
28V
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor
High Efficiency 4-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier for 4000-8000MHz Transistor Product Overview YPM40801860M is a 60-watt, 50 Ω -matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the YPM40801860M ideal for multiple applications with frequency from 4000MHz to 8000MHz. High Efficiency and Linear Gain Operation Negative Gate Voltage and Bias

Tags:

amplificateur de signal RF,

amplificateur Wi-Fi haute puissance,

amplificateur RF à l'état solide

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