Der RF-Leistungsverstärkerchip YP3035W-H verwendet mehrere unabhängige patentierte Technologien der Innolux-Technologie und die fortschrittliche InGap/GaAs-HBT-Prozesstechnologie mit hoher Verstärkung und Linearität.Der Chip integriert eine ESD-Schutzeinheit, die eine hohe Zuverlässigkeit aufweist.
Durch die Einführung eines QFN-Verpackungsformats, das den Industriestandards entspricht und eine Verpackungsgröße von 4 mm x 4 mm aufweist, kann das System leicht integriert und miniaturisiert werden.
Hauptergebnisindikatoren
- Arbeitsfrequenzband: 2000~3000MHz
- Betriebsspannung: 3,3 bis 5,0 V
- Gewinn: 33 dB
- Ausgangsleistung:36 dBm@5,0 V
- Statischer Strom: 250 mA
- Rückgabeverlust bei Eingabe: > 15 dB
- Interne integrierte Leistungsanzeige
- Interne integrierte ESD-Schutzeinheit
- Verpackungsform: QFN-16L4mmx4mm
- Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C
Anwendungsbereiche:
- 2,4 GHz-Internet der Dinge
- IEEE 802.11b/g/n/ac drahtloses lokales Netzwerk
- High-End drahtlose Netzwerkkarte, drahtlose AP
- LTE
- Wibro 2,3 GHz bis 2,4 GHz
- WiMAX 2,5 GHz bis 2,7 GHz