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当社は、新しい高リニアパワーアンプチップYP3035W-Hを発売しました。

2025-09-05

YP3035W-H RF パワーアンプチップは,Innolux Technologyの複数の独立した特許技術と高度なInGap/GaAs HBTプロセスの技術を採用し,高増幅と線形性があります.このチップは内部にESD保護装置を組み込みます信頼性が高い
QFNのパッケージ形式は業界標準に準拠しており,パッケージサイズは4mm×4mmで,システムを簡単に統合し小型化できます.

主なパフォーマンス指標:
- 作業周波数帯: 2000~3000MHz
- 作業電圧:3.3~5.0V

- 増幅: 33dB
- 出力:36dBm@5.0V

- 静電: 250mA

- 入力回帰損失:>15dB

- 内部統合された電源検出装置

- 内部統合されたESD保護ユニット

- パッケージ形式:QFN-16L4mmx4mm

- 動作温度: -40 °C~85 °C

応用分野:
- 2.4GHzのモノのインターネット
- IEEE 802.11b/g/n/ac 無線ローカルエリアネットワーク
- 高級無線ネットワークカード無線AP
- LTEで
- ウィブロ 2.3GHzから 2.4GHz
- WiMAX 2.5GHz から 2.7GHz

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