productos

En casa > productos > Amplificador de potencia de señal > 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W amplificador de potencia GaN Transistor de alta movilidad de electrones

Categorías

Módulo de interferencia de señal

(114)

Amplificador de potencia de señal

(96)

Aumentador de presión de la señal

(36)

Los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatu

(78)

Diodo variador

(4)

Contactos

Contactos: Ms. Zhou

Teléfono: 86-512-67066119

Contacta ahora

Envíanos un correo.

60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W amplificador de potencia GaN Transistor de alta movilidad de electrones

Name: 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W amplificador de potencia GaN Transistor de alta movilidad de electrones
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM60800860M
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: Jiangsu, China

Nombre de la marca: SZHUASHI

Número de modelo: YPM60800860M

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 pieza

Precio: Negotiated

Detalles de empaquetado: Caja de cartón

Tiempo de entrega: 2-7 días laborables

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000 unidades/mes

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción del producto

Resaltar:

Nombre del producto:	amplificador de radiofrecuencia	Fuerza:	60W
Rango de frecuencia:	6000-8000MHz	Fuente de alimentación:	28V

Nombre del producto:	amplificador de radiofrecuencia
Fuerza:	60W
Rango de frecuencia:	6000-8000MHz
Fuente de alimentación:	28V

60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W amplificador de potencia GaN Transistor de alta movilidad de electrones

Amplificador de potencia GaN de 60W 6-8GHz 50Ω 28V 60W Transistor de alta movilidad de electrones GaN

Descripción del producto

El YPM60800860M es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 60 vatios y 50Ω adaptado, diseñado específicamente con capacidades de alta eficiencia, alta ganancia y amplio ancho de banda. Esto hace que el YPM60800860M sea ideal para múltiples aplicaciones con frecuencias de 6000 MHz a 8000 MHz.

Diseño de alta eficiencia
Alto rendimiento de ganancia
Capacidades de amplio ancho de banda
Adaptación de impedancia de 50Ω

Especificaciones técnicas

Parámetro	Especificación
Rango de frecuencia	6000-8000MHz
Potencia de salida promedio	60W
Voltaje de operación	28V CC
Planitud de ganancia	±1.5 dB
Temperatura de almacenamiento	-55°C a +85°C
Eficiencia	25%

Imágenes del producto

Información del fabricante

Ubicados en el Parque Industrial de Suzhou y fundados en 2010, somos el fabricante oficial de estos productos. Nos especializamos en la fabricación y venta de nuestras propias líneas de productos, incluyendo amplificadores WiFi, VCO, fuentes de señal de barrido, grupos de tarjetas inalámbricas y otros componentes de RF a precios competitivos.

Nuestro equipo de profesionales ha dominado las tecnologías centrales en el campo de los productos de RF y posee múltiples derechos de propiedad intelectual independientes. Nuestros productos se han distribuido en numerosas ciudades nacionales y son populares entre clientes internacionales en países como Rusia, Estados Unidos, Corea del Sur, Vietnam y Suecia.

Tags:

amplificador de señal de RF,

Módulo de interferencia de señal

PCB de bloqueador de señal

Amplificador de potencia de señal

Aumentador de presión de la señal

Los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatu

Bloqueo de ganancia

Diodo variador

60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W amplificador de potencia GaN Transistor de alta movilidad de electrones

amplificador de señal de RF,

refuerzo wifi de alta potencia,

amplificador de RF de estado sólido

Amplificador de potencia de señal de 80 W 28 V 0,7-6,2 GHz para red LAN cableada y VDS típico

Amplificador de potencia de señal GaN de 100W 5-6GHz 12.3dB para infraestructura de comunicación inalámbrica

Amplificador de potencia de señal estándar de 100W Amplificador de alta potencia para 1150-1330MHz

10W 5.8G Amplificador de potencia de señal de PA profesional inalámbrico para red Wifi

Protección ESD 8dBm Amplificador de potencia de señal 2,5-7,2 GHz para componentes electrónicos Chip IC

RFint 100% NUEVO Amplificador de potencia de señal 8dBm 2.5-7.2GHz RF Wifi inalámbrico con búfer

Amplificador RF de alta eficiencia 80W 28V 1.5G para el rango de frecuencia 2.0-6.2GHz

2.4GHz 40W Amplificador de potencia de estado sólido de tres etapas Amplificador de antena RF para inalámbricos

Características estándar Amplificador de potencia de señal de 2,4 GHz Modulos RF Amplificador de señal

Amplificador lineal inalámbrico de alta potencia de 40W con 1dB de potencia plana para 5725-5850MHz

Modulo de amplificador de potencia de generador de señal RF de ganancia de 80W para 700MHz-6200MHz

Módulo de interferencia de señal

PCB de bloqueador de señal

Amplificador de potencia de señal

Aumentador de presión de la señal

Los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatu

Bloqueo de ganancia

Diodo variador