Produk

Rumah > Produk > Penguat daya sinyal > Penguat Daya 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Transistor Mobilitas Elektron Tinggi GaN

Kategori

Diode Varaktor

(4)

Kontak

Kontak: Ms. Zhou

Telp: 86-512-67066119

Hubungi Sekarang

Kirimkan surat.

Penguat Daya 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Transistor Mobilitas Elektron Tinggi GaN

Name: Penguat Daya 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Transistor Mobilitas Elektron Tinggi GaN
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM60800860M
Availability: InStock

Rincian produk

Tempat asal: Jiangsu, Tiongkok

Nama merek: SZHUASHI

Nomor model: YPM60800860M

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Kuantitas min Order: 1 buah

Harga: Negotiated

Kemasan rincian: Karton

Waktu pengiriman: 2-7 hari kerja

Syarat-syarat pembayaran: T/T

Menyediakan kemampuan: 1000 buah/bulan

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti:

Nama Produk:	Penguat RF	Kekuatan:	60W
Rentang Frekuensi:	6000-8000MHz	Catu daya:	28V

Nama Produk:	Penguat RF
Kekuatan:	60W
Rentang Frekuensi:	6000-8000MHz
Catu daya:	28V

Penguat Daya 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Transistor Mobilitas Elektron Tinggi GaN

60W 6-8GHz 50Ω-cocok GaN 28V 60W Amplifier Daya GaN Transistor Mobilitas Elektron Tinggi

YPM60800860M adalah 60 watt, 50 Ω-cocok gallium nitride (GaN) transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT) yang dirancang khusus dengan efisiensi tinggi, keuntungan tinggi dan kemampuan bandwidth luas,yang membuat YPM60800860M ideal untuk berbagai aplikasi dengan frekuensi dari 6000MHz hingga 8000MHz.

Spesifikasi Teknis

Jangkauan Frekuensi	6000-8000MHz
Daya output rata-rata	60W
Tegangan Operasi	28V DC
Mendapatkan Kepadatan	± 1,5 dB
Suhu penyimpanan	-55°C sampai +85°C
Efisiensi	25%

Gambar Produk

Informasi Produsen

Berlokasi di Suzhou Industrial Park dan didirikan pada tahun 2010, kami adalah produsen resmi produk ini.VCO, menyapu sumber sinyal, kelompok kartu nirkabel, dan komponen RF lainnya dengan harga yang kompetitif.

Tim profesional kami telah menguasai teknologi inti di bidang produk RF dan memiliki beberapa hak kekayaan intelektual independen.Produk kami telah didistribusikan ke banyak kota domestik dan populer di kalangan pelanggan internasional di negara-negara termasuk Rusia, Amerika Serikat, Korea Selatan, Vietnam, dan Swedia.

Tags:

amplifier sinyal rf,

Modul Jammer Sinyal

PCB pengganggu sinyal

Penguat daya sinyal

penguat sinyal

Osilator Terkendali Tegangan

Dapatkan Blokir

Diode Varaktor

Penguat Daya 60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Transistor Mobilitas Elektron Tinggi GaN

amplifier sinyal rf,

Wifi booster bertenaga tinggi,

penguat RF solid state

80W 28 V 0.7-6.2GHz Penguat Daya Sinyal Untuk Jaringan LAN Berkabel Dan VDS Biasa

Amplifier Daya Sinyal GaN 100W 5-6GHz 12.3dB untuk Infrastruktur Komunikasi Wireless

Amplifier daya sinyal standar 100W Amplifier daya tinggi untuk 1150-1330MHz

10W 5.8G Professional PA Signal Power Amplifier Wireless Untuk Jaringan Wifi

Perlindungan ESD 8dBm Penguat Daya Sinyal 2.5-7.2GHz Untuk Komponen Elektronik Chip IC

RFint 100% NEW Amplifier Daya Sinyal 8dBm 2.5-7.2GHz RF Wireless Wifi Dengan Buffer

Amplifier RF Efisiensi Tinggi 80W 28V 1.5G untuk rentang frekuensi 2.0-6.2GHz

2.4GHz 40W Tiga Tahap Solid State Power Amplifier RF Antenna Amplifier Untuk Wireless

Fitur Standar 2.4GHz Amplifier Daya Sinyal Modul RF Signal Booster

40W Wireless High Power Linear Amplifier Dengan 1dB Power Flatness untuk 5725-5850MHz

Wired LAN 80W Gain RF Signal Generator Power Amplifier Module PA Untuk 700MHz-6200MHz

Modul Jammer Sinyal

PCB pengganggu sinyal

Penguat daya sinyal

penguat sinyal

Osilator Terkendali Tegangan

Dapatkan Blokir

Diode Varaktor