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60W 6-8GHz 50Ω 매칭 GaN 28V 60W 전력 증폭기 GaN 고전자 이동도 트랜지스터

제품 세부 정보

원래 장소: 중국 장쑤성

브랜드 이름: SZHUASHI

모델 번호: YPM60800860M

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 1개 조각

가격: Negotiated

포장 세부 사항: 판지 상자

배달 시간: 2-7 근무일

지불 조건: 티/티

공급 능력: 1000pcs/월

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강조하다:
제품명:
RF 증폭기
힘:
60W
주파수 범위:
6000-8000MHz
전원공급장치:
28V
제품명:
RF 증폭기
힘:
60W
주파수 범위:
6000-8000MHz
전원공급장치:
28V
60W 6-8GHz 50Ω 매칭 GaN 28V 60W 전력 증폭기 GaN 고전자 이동도 트랜지스터
60W 6-8GHz 50Ω 매치 GaN 28V 60W 전력 증폭기 GaN 고전자 이동성 트랜지스터
YPM60800860M는 60W, 50 Ω 가릴륨 나이트라이드 (GaN) 에 맞춘 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 이며, 특히 높은 효율, 높은 이득 및 넓은 대역폭 기능을 갖도록 설계되었습니다.이는 YPM60800860M을 6000MHz에서 8000MHz까지의 주파수와 함께 여러 응용 프로그램에 이상적으로 만듭니다..
기술 사양
주파수 범위 6000~8000MHz
평균 출력 전력 60W
작동 전압 28V DC
평평 해짐 ±1.5 dB
저장 온도 -55°C ~ +85°C
효율성 25%
제품 이미지
60W 6-8GHz 50Ω 매칭 GaN 28V 60W 전력 증폭기 GaN 고전자 이동도 트랜지스터

60W 6-8GHz 50Ω 매칭 GaN 28V 60W 전력 증폭기 GaN 고전자 이동도 트랜지스터
제조사 정보
2010년에 설립된 수저우 산업단지에 위치하고 있습니다. 우리는 이러한 제품의 공식 제조업체입니다. 우리는 WiFi 증폭기를 포함한 자체 제품 라인을 제조하고 판매하는 데 전문입니다.VCO, 스위프 신호 소스, 무선 카드 그룹 및 다른 RF 구성 요소 경쟁력있는 가격.
저희 전문가 팀은 RF 제품 분야에서 핵심 기술을 익히고 있으며 여러 독립적인 지적 재산권을 보유하고 있습니다.우리의 제품은 많은 국내 도시에 배포되어 있으며 러시아를 포함한 국가에서 국제 고객들에게 인기가 있습니다., 미국, 한국, 베트남, 스웨덴