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Casa. > prodotti > Amplificatore di potenza del segnale > Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC
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Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC
Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC
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Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC

Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Jiangsu, Cina

Marca: SZHUASHI

Numero di modello: YP601820T

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 2 pezzi

Prezzo: 20USD each

Imballaggi particolari: Cartone

Tempi di consegna: 2-7 giorni

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese

Ottenga il migliore prezzo

Dettagli del prodotto

Descrizione del prodotto
Evidenziare:
Nome del prodotto:
Transistor di potenza RF
Pesce gatto:
20W
Frequenza:
6000MHz
Caratteristica:
Alta efficienza
Nome del prodotto:
Transistor di potenza RF
Pesce gatto:
20W
Frequenza:
6000MHz
Caratteristica:
Alta efficienza
Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC

Innotion High Efficiency 20W Gallium Nitride 28V DC-6GHz 20W RF Power Transistor


Product Description

Innotion’s YP601820T is a 20-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities with frequency up to 6000MHz. The transistor is supplied in a ceramic /metal flange package.

 

Pout 20W
Frequency 6000MHz
 
Features
  • High Efficiency and Linear Gain Operation
  • Negative Gate Voltage and Bias Sequencing Required
  • Excellent Thermal Stability and Excellent Ruggedness
  • Metal Based Package Sealed with Ceramic-Epoxy Lid
  • Gold Metallization System: Chip-Wire Bond-Package



Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC 0

Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC 1Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC 2

 

Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC 3

Innotion 20W 6000MHz High Efficiency GaN HEMT RF Power Transistor Amplifier IC 4

Company Information

Suzhou Industrial Park. Founded in 2010. The only official shop! We sell our own products at the best price, such as WiFi amplifier, VCO, sweep signal source, wireless card group and other product lines;
Professional people do professional things. We have mastered some core technologies in the product field and have a number of independent intellectual property rights.
Our products have been sold to many domestic cities, but also very popular with many foreign customers, such as Russia, the United States, South Korea, Vietnam, Sweden and so on.

Our Services

 We stand by our commitment to ensure first class customer service.


Tags:

amplificatore del segnale rf,

amplificatore wifi ad alta potenza,

amplificatore RF a stato solido

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