các sản phẩm

Nhà > các sản phẩm > Bộ khuếch đại công suất tín hiệu > Mô-đun khuếch đại công suất RF SZHUASHI 5W PA có công suất đầu ra trung bình cao cho 300-2000 MHz

Các loại

Bộ khuếch đại công suất tín hiệu

(82)

Bộ dao động điều khiển điện áp

(78)

Bộ điều hợp USB không dây

(2)

Liên lạc

Liên lạc: Ms. Zhou

Điện thoại: 86-512-67066119

Liên hệ ngay bây giờ

Gửi cho chúng tôi.

Mô-đun khuếch đại công suất RF SZHUASHI 5W PA có công suất đầu ra trung bình cao cho 300-2000 MHz

Name: Mô-đun khuếch đại công suất RF SZHUASHI 5W PA có công suất đầu ra trung bình cao cho 300-2000 MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM03203237B
Price: 49 USD
Availability: InStock

Chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: Giang Tô, Trung Quốc

Hàng hiệu: SZHUASHI

Số mô hình: YPM03203237B

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1 mảnh

Giá bán: 49USD each

chi tiết đóng gói: GIỎ HÀNG

Thời gian giao hàng: 2-7 ngày làm việc

Điều khoản thanh toán: T/T

Khả năng cung cấp: 10000 chiếc / tháng

Nhận được giá tốt nhất

Chi tiết sản phẩm

Mô tả sản phẩm

Làm nổi bật:

Tên sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF	Quyền lực:	5W
Dải tần số:	300-2000 MHz	Nguồn điện:	28V
Đang làm việc:	0,6A	độ phẳng điện:	<1dB

Tên sản phẩm:	Bộ khuếch đại RF
Quyền lực:	5W
Dải tần số:	300-2000 MHz
Nguồn điện:	28V
Đang làm việc:	0,6A
độ phẳng điện:	<1dB

Mô-đun khuếch đại công suất RF SZHUASHI 5W PA có công suất đầu ra trung bình cao cho 300-2000 MHz

SZHUASHI 5W RF Power Amplifier Module PA của công suất đầu ra trung bình cao cho 300-2000MHz

Tổng quan sản phẩm

YPM03203237B là một mô-đun khuếch đại công suất RF dành riêng cho tín hiệu 300-2000MHz. Mô-đun này có lợi thế là công suất đầu ra trung bình cao, phẳng băng tần tốt

Các đặc điểm chính

Hiệu suất phẳng trong băng thông xuất sắc
Khả năng bảo hiểm băng thông tín hiệu rộng
Xây dựng công nghiệp mạnh mẽ

Thông số kỹ thuật

Phạm vi tần số	300-2000MHz
Công suất đầu ra trung bình	5W
Điện áp hoạt động	28V DC
Biến động băng tần	< 1dB
Nhiệt độ lưu trữ	-40°C đến +150°C
Độ ẩm tương đối	< 80% RH

Hình ảnh sản phẩm

Thông tin về nhà sản xuất

Khu công nghiệp Suzhou- Được thành lập vào năm 2010. cửa hàng chính thức duy nhất! chúng tôi bán các sản phẩm của riêng mình với giá tốt nhất, bao gồm bộ khuếch đại WiFi, VCO, nguồn tín hiệu quét, nhóm thẻ không dây và các dòng sản phẩm khác.

Chúng tôi đã làm chủ các công nghệ cốt lõi trong lĩnh vực sản phẩm và sở hữu nhiều quyền sở hữu trí tuệ độc lập.

Sản phẩm của chúng tôi được bán trên toàn thị trường trong nước và phổ biến với khách hàng quốc tế bao gồm Nga, Hoa Kỳ, Hàn Quốc, Việt Nam và Thụy Điển.

Tags:

Bộ khuếch đại tín hiệu rf,

Mô-đun nhiễu tín hiệu

PCB nhiễu tín hiệu

Bộ khuếch đại công suất tín hiệu

tăng cường tín hiệu

Bộ dao động điều khiển điện áp

Khối tăng

Diode biến thể

Bộ điều hợp USB không dây

Mô-đun khuếch đại công suất RF SZHUASHI 5W PA có công suất đầu ra trung bình cao cho 300-2000 MHz

Bộ khuếch đại tín hiệu rf,

tăng cường wifi công suất cao,

Bộ khuếch đại RF trạng thái rắn

Bộ khuếch đại công suất tín hiệu 80W 28 V 0,7-6,2GHz cho mạng LAN có dây và VDS điển hình

100W 5-6GHz GaN Signal Power Amplifier 12,3dB cho cơ sở hạ tầng truyền thông không dây

Lượng tăng cường tín hiệu tiêu chuẩn 100W Lượng tăng cường hiệu suất cao cho 1150-1330MHz

10W 5.8G Professional PA Signal Power Amplifier Không dây cho mạng Wifi

Bảo vệ ESD 8dBm Signal Power Amplifier 2.5-7.2GHz Cho chip IC linh kiện điện tử

RFint 100% SIGNAL POWER AMPLIFIER 8dBm 2.5-7.2GHz RF Wifi không dây với bộ đệm

Bộ khuếch đại RF hiệu suất cao 80W 28V 1.5G cho phạm vi tần số 2.0-6.2GHz

2.4GHz 40W Bộ khuếch đại năng lượng trạng thái rắn ba giai đoạn RF Bộ khuếch đại ăng-ten cho không dây

Đặc điểm tiêu chuẩn 2.4GHz Signal Power Amplifier RF Modules Signal Booster

Bộ khuếch đại tuyến tính công suất cao không dây 40W với độ phẳng công suất 1dB cho 5725-5850MHz

LAN có dây 80W Tăng tín hiệu RF Generator Power Amplifier Module PA cho 700MHz-6200MHz

Mô-đun nhiễu tín hiệu

PCB nhiễu tín hiệu

Bộ khuếch đại công suất tín hiệu

tăng cường tín hiệu

Bộ dao động điều khiển điện áp

Khối tăng

Diode biến thể