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Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
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High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz
High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz
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High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz

製品詳細

起源の場所: 江苏,中国

ブランド名: SZHUASHI

モデル番号: YP40601650T

支払いと送料の条件

最小注文数量: 2個のPC

価格: 36USD each

パッケージの詳細: カートン

受渡し時間: 2-7days

支払条件: T/T

お問い合わせ

製品詳細

製品説明
ハイライト:

C-Band GaN power amplifier chip

,

50W power amplifier for 4400-6000MHz

,

high efficiency signal jammer module

製品名:
電力増幅器の破片
ふくれっ面:
50W
頻度:
4500MHzから6000MHz
特徴:
高効率
製品名:
電力増幅器の破片
ふくれっ面:
50W
頻度:
4500MHzから6000MHz
特徴:
高効率
High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz

SZHUASHI High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz


Product Description

YP40601650T is a 50-watt, internally matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the YP40601650T ideal for multiple applications with frequency from 4400MHz to 6000MHz.

 

Pout 50W
Frequency 4500MHz-6000MHz
 
Features

  • High Efficiency and Linear Gain Operation
  • Negative Gate Voltage and Bias Sequencing Required
  • Excellent Thermal Stability and Excellent Ruggedness
  • Metal Based Package Sealed with Ceramic-Epoxy Lid
  • Gold Metallization System: Chip-Wire Bond-Package


High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz 0

High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz 1

High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz 2

High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz 3

High Efficiency C-Band GaN 50W Power Amplifier Chip YP40601650T for 4400-6000MHz 4



Tags:

rf信号増幅器,

高性能WiFiブースター,

固体 RF 増幅器

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